Продукты
PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46
  • PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46
  • PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46
  • PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46

PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46

Компания Box Optronics поставляет PIN-фотодиод InGaAs диаметром 1 мм, разработанный для высокочувствительного обнаружения в ближнем инфракрасном диапазоне в диапазоне длин волн от 900 до 1650 нм. Обладает высокой чувствительностью (тип. 0,95 А/Вт при длине волны 1550 нм), низким темновым током и низкой емкостью. Размещенный в компактном герметичном металлическом корпусе ТО46 с плоским окном, фотодиод обеспечивает надежную длительную работу в расширенном диапазоне температур от -40°С до +85°С. Идеально подходит для интеграции в измерители оптической мощности, испытательные приборы и системы оптоволоконной связи.

Обзор продукта-1 мм InGaAs PIN-фотодиод TO46


PIN-фотодиод InGaAs диаметром 1 мм (модель BPD-1STO46B-FW) от Box Optronics — это высокопроизводительный фотодетектор InGaAs, разработанный для приложений ближнего инфракрасного диапазона (NIR). Имея структуру PIN-диода, он преобразует падающую оптическую энергию в диапазоне длин волн 900–1650 нм в пропорциональный фототок с высокой линейностью и чувствительностью. Имеет активную область диаметром 1 мм. Упакованный в герметичный металлический корпус ТО46 с плоским оптическим окном, фотодиод механически прочен и обеспечивает стабильную работу в сложных промышленных и лабораторных условиях. Эти характеристики делают его отличным выбором для мониторинга оптической мощности, тестовых измерений оптоволокна, лазерного обнаружения и БИК-спектроскопии.


Основные характеристики: PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46


• Диаметр активной области: 1 мм для эффективного сбора света.

• Широкий диапазон спектрального отклика: от 900 до 1650 нм.

• Высокая чувствительность: типично 0,9 А/Вт при длине волны 1310 нм, 0,95 А/Вт при длине волны 1 550 нм.

• Сверхнизкий темновой ток, низкая емкость перехода

• Высокая надежность и долгосрочная стабильность

• Герметичный плоский металлический корпус ТО46.

• Стандартная конфигурация TO-CAN для простоты монтажа.


Типичные применения - PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46


• Измерители оптической мощности и модули мониторинга оптической мощности.

• Оптоволоконное испытательное и измерительное оборудование.

• Обнаружение оптического сигнала и мониторинг мощности в телекоммуникационных системах.

• Спектроскопия и аналитические приборы ближнего инфракрасного диапазона (NIR).

• Системы мониторинга и управления мощностью лазера

• Калибровка и определение характеристик оптического аттенюатора

• Исследования и разработки в лабораториях фотоники.

• Интеграция оптических модулей и разработка фотонной подсистемы


Технические характеристики-1 мм InGaAs PIN-фотодиод TO46


Абсолютные максимальные значения (TC = 25°C)

Параметр

Символ

Рейтинг

Единица

Обратное напряжение

ВРмакс

20

V

Температура рабочего корпуса

ВЕРШИНА

-40 ~ +85

°С

Температура хранения

ТСТ

-55 ~ +120

°С

Электрооптические характеристики (TC = 25°C)

Параметр

Символ

Условия испытания

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Диаметр активной области

φ

-

-

1

-

мм

Спектральный диапазон

λ

-

900

-

1650

нм

Чувствительность при 1310 нм

R

ВР = -5В

0.85

0.9

-

А/В

Чувствительность при 1550 нм

R

ВР = -5В

-

0.95

-

А/В

Рабочее обратное напряжение

VR

-

-

-5

-

V

Темный ток

Идентификатор

ВР = -5В

-

1.5

5.0

нет данных

Емкость перехода

C

ВР = -5 В, f = 1 МГц

-

50

80

пф

Полоса пропускания 3 дБ

ЧБ

ВР = 0 В, RL = 50 Ом

-

40

-

МГц


Подробная информация о продукте-1 мм InGaAs PIN-фотодиод TO46


Что такое PIN-фотодиод InGaAs?

PIN-фотодиод InGaAs представляет собой высокочувствительный полупроводниковый детектор, предназначенный для оптического обнаружения в ближнем инфракрасном диапазоне (NIR). Основанный на полупроводниковой структуре P-I-N, он преобразует падающие фотоны в фототок с превосходной линейностью и стабильностью.

Фотодиоды InGaAs, работающие в диапазоне от 900 до 1700 нм, обеспечивают высокую чувствительность в диапазонах оптической связи и в SWIR-диапазоне, что делает их пригодными для тестирования оптоволокна, мониторинга оптической мощности, спектроскопии и датчиков.

Активная область толщиной 1 мм обеспечивает улучшенную способность сбора света и улучшенную устойчивость к сопряжению, обеспечивая превосходный баланс между чувствительностью, гибкостью выравнивания и скоростью обнаружения.


Основные характеристики: PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46


• Высокая чувствительность и квантовая эффективность

• Сверхнизкий темновой ток

• Низкая емкость и быстрый отклик

• Широкий спектральный охват

• Герметичный пакет ТО46


Размеры корпуса и расположение контактов - PIN-фотодиод InGaAs 1 мм TO46


Тип упаковки: Герметичная металлическая банка TO46, плоское окно (TO-CAN 3-контактный)

Диаметр банки: φ5,4 ± 0,2 мм (внешний), φ4,7 ± 0,1 мм (внутренний)

Диаметр окна: φ3,9 ± 0,1 мм

Конфигурация контактов (вид снизу): Контакт 1 = анод (сторона P), контакт 2 = корпус (земля), контакт 3 = катод (сторона N)


 

 


Информация для заказа


Номенклатура моделей

БЛД - от X X до XX - X - X

Пример: BPD-1STO46B-FW

Поле

Код

Описание

Серия продуктов

БЛД

Серия коробочных фотодиодов

Размер активной области

1S = диаметр 1 мм (2S=2 мм, 3S=3 мм, 5S=5 мм)

Тип упаковки

ТО46

ТО46 = пакет ТО46 (ТО5=ТО5)

Тип контакта

B

Распиновка типа B =B

Тип окна

ФВ

FW = плоское окно


Техническое описание-1 мм InGaAs PIN-фотодиод TO46


Техническая спецификация


Время выполнения

• Стандартные единицы (модели на складе): 3–5 рабочих дней.

• Стандартное производство: 10–15 рабочих дней.

• Объемные заказы: свяжитесь с нами для получения графика производства.

• Международная доставка: ~5 рабочих дней (DHL/UPS/FedEx Express).

• Ускоренное обслуживание: доступно по запросу.


Замечания по эксплуатации и обращению с PIN-фотодиодом InGaAs 1 мм TO46


• Фотодиоды являются устройствами, чувствительными к электростатическому разряду (ESD), поэтому всегда используйте соответствующую защиту от электростатического разряда.

• Не прикасайтесь к проводам непосредственно голыми пальцами, чтобы предотвратить загрязнение и повреждение от электростатического разряда.

• Храните неиспользуемые устройства в ESD-безопасной упаковке или проводящих лотках, чтобы предотвратить повреждение электростатическими разрядами.


Горячие Теги: Китай 1 мм InGaAs PIN-фотодиод TO46 Производитель, Поставщик, Фабрика
Отправить запрос
Контакты
  • Адрес

    Комната 901, корпус A, Rongchao New Era Plaza, № 3 Lanqing 1st Road, община Луху, район Гуаньху, район Лунхуа, Шэньчжэнь, 518110, Китай

  • Электронная почта

    sales06@boxoptronics.com

Ищете конкурентоспособные цены на оптовые заказы? Отправьте запрос в Box Optronics на получение высокопроизводительных DFB-лазеров, SLED и волоконно-оптических устройств с постоянными магнитами. Получите профессиональное ценовое предложение в течение 24 часов.
X
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie.политика конфиденциальности
ОтклонятьПринимать