Новости

Профессиональные знания

Понимание полупроводниковых лазеров — принципы, характеристики и применение07 2026-04

Понимание полупроводниковых лазеров — принципы, характеристики и применение

Полупроводниковые лазеры были изобретены в 1962 году, а в 1970 году они начали работать в непрерывном режиме с двойной гетероструктурой, став основным источником света для оптической связи. Система InGaAsP/InP поддерживает полосу связи 1300/1550 нм с низкими потерями, а MOCVD стала основной технологией производства.
Широкополосный источник света SLED с полосой пропускания 840 нм, 5 мВт, 10 нм07 2026-04

Широкополосный источник света SLED с полосой пропускания 840 нм, 5 мВт, 10 нм

Широкополосный источник света SLED с длиной волны 840 нм, 5 мВт, полоса пропускания 10 нм от Box Optronics обеспечивает более чистый спектр, более низкое энергопотребление и меньшую стоимость по сравнению с обычными широкополосными моделями высокой мощности, что делает его высокопроизводительным продуктом, адаптированным к конкретным сценариям применения.
X
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie.политика конфиденциальности
ОтклонятьПринимать